在半導體封裝工藝中，銅引線框架憑借其優異的導電性、導熱性和加工性能，成為主流的芯片載體材料。然而，銅在空氣中極易氧化，形成的氧化層（如CuO、Cu?O）不僅會降低引線框架的表面活性，還會導致封裝過程中的分層、鍵合失效等問題，嚴重影響產品的可靠性和良率。
等離子清洗在銅引線框架去氧化中的應用優勢
（一）高效去氧化
等離子清洗技術能夠在短時間內徹底去除銅引線框架表面的氧化層。例如，采用Ar/H?混合氣體（比例1:4）進行等離子清洗時，可將表面氧含量降至0.1at%以下，遠低于傳統化學清洗的殘留水平。實驗數據顯示，經過等離子清洗的銅引線框架，其表面水滴角從清洗前的70°以上降低至15°以下，表明表面活性顯著提升。
（二）環保無污染
與傳統的酸洗工藝相比，等離子清洗無需使用強酸強堿等化學試劑，避免了廢水排放和環境污染問題。清洗過程中產生的揮發性物質可通過真空泵直接排出，符合綠色制造的發展趨勢。
（三）工藝兼容性強
等離子清洗技術適用于各種形狀和尺寸的銅引線框架，且不會對材料造成機械損傷。其低溫處理特性（通常低于100℃）避免了高溫對芯片和封裝材料的熱影響，確保了產品的性能穩定性。
（四）提升封裝可靠性
等離子清洗后的銅引線框架表面潔凈度和活性顯著提高，能夠增強與封裝材料（如環氧樹脂、塑封料）的粘接強度，減少分層和空洞現象。實際應用中，經過等離子清洗的封裝產品，其分層率可降低50%以上，良率提升20%以上。
